SK하이닉스 HBM4E도 선점한다

HBM4의 샘플을 고객사에 보낸 SK하이닉스가 이번에는 HBM4E 양산을 앞당긴다는 소식이 있습니다. HBM분야에서 초격차를 이루려고 하는 SK하이닉스의 비전에 대해 알아봅시다.

 

 

HBM4E도 SK하이닉스가 일등?

SK하이닉스는 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4E의 양산을 2026년으로 앞당길 계획을 발표했습니다. 이는 기존 계획보다 1년 빨라진 일정입니다. HBM4E는 이전 세대 대비 대역폭 1.4배, 집적도 1.3배, 전력 효율은 30% 개선될 것으로 예상됩니다.

 

HBM4E는 기술적으로 20단 이상 적층이 가능하며, 이를 위해 MR-MUF 공정과 하이브리드 본딩 기술을 연구 중입니다. 하지만 하이브리드 본딩은 수율 문제로 적층이 어려울 수 있다는 점도 언급되고 있습니다. SK하이닉스는 엔비디아와 같은 주요 고객사의 요청에 따라 개발 일정을 앞당겼으며, 현재 개발 초기 단계에 있습니다.

 

HBM4E는 SK하이닉스의 기술 리더십을 강화하며 글로벌 HBM 시장에서 경쟁력을 높이는 중요한 제품으로 자리잡을 전망입니다.

 

 

HBM4와 HBM4E의 차이는?

그러면 현재 양산 준비중인 HBM4와 HBM4E의 차이를 자세히 알아봅시다. HBM4와 HBM4E는 차세대 HBM으로, 성능과 기술적 특성이 다릅니다. 주요 차이점은 다음과 같습니다.

 

HBM4

1. 성능 및 구조

• 최대 16단 적층 가능하며, 패키징 높이는 775㎛로 규격화되었습니다.
• 데이터 전송 속도는 초당 1.65TB 이상이며, I/O 수는 2048개로 이전 세대 대비 두 배 증가했습니다.
• 전략 효율은 이전 세대보다 약 30% 개선되었습니다.

 

2. 기술적 특징

• 베이스 다이에 로직 공정을 적용하여 성능과 에너지 효율을 향상시켰습니다.
• MR-MUF 패키징 기술을 사용하여 열 방출 성능을 개선하고 안정성을 높였습니다.

 

HBM4E

1. 성능 및 구조

• 대역폭은 HBM4 대비 1.4배 증가하며, 집적도는 1.3배 향상되었습니다.
• 전력 효율은 약 30% 추가 개선될 예정입니다.
• 하이브리드 본딩 기술을 도입하여 DRAM 간 연결을 더 밀접하게 만들어 열 관리와 데이터 전송 효율을 극대화 합니다.

 

2. 기술적 특징

• 기존 마이크로 범프 방식 대신 구리 기반 하이브리드 본딩을 채택하여 패키징 공정을 혁신적으로 변경했습니다.
• 맞춤형 설계를 강화하여 특정 애플리케이션에 최적화된 메모리 솔루션 제공이 가능해졌습니다.

 

HBM4E는 HBM4의 성능을 크게 개선한 차세대 제품으로, 더 높은 대역폭, 적층 효율, 전력 효율성을 제공하며 새로운 패키징 기술과 맞춤형 설계를 통해 AI와 HPC 같은 고성능 애플리케이션에 최적화되어 있습니다.

 

 

2030년까지 HBM시장 규모는 얼마나 될까?

2030년까지 HBM 시장은 매우 빠르게 성장을 이어갈 것으로 전망됩니다. 주요 전망 내용을 정리해 보면 다음과 같습니다.

• 시장 규모: HBM 시장은 2024년 약 25억 달러에서 연평균 성장률 24.2%를 기록하며 2030년에는 92억 달어에 이를 것으로 예상됩니다.
• DRAM 내 비중: HBM이 전체 DRAM 매출에서 차지하는 비중은 2028년까지 30.6%에 도달할 것으로 예측되며, 이후에도 지속적인 확장이 전망됩니다.
• 성장요인: AI와 데이터센터에서 수요가 급증하고 있습니다. 고성능 컴퓨터(HPC) 및 그래픽 처리 분야에서 활용이 증가하고 있고, 더 높은 대역폭과 에너지 효율성을 제공하는 HBM 기술의 진보가 수요를 높이고 있습니다.

 

맺음말

인공지능이 계속 고도화되면서 HBM의 수요는 꾸준히 늘어나고 있습니다. 이 분야에서 우리 기업인 SK하이닉스가 앞서가며 계속 업그레이드된 제품을 내 놓고 있습니다. 이 분야에서도 기술 한국의 위상을 높이며 전세계를 주름잡는 회사로 자리매김하기를 바라봅니다.